随着超大规模集成电路的特征线宽不断减小,导致信号传输延时、功耗增大以及互连阻容耦合增大等问题,为了解决这一问题,多孔低(超低)k介电材料越来越引起人们的注意。通过在前驱气体D5源中添加甲烷,由ECRCVD沉积技术制备出了SiCOH薄膜,由于在SiCOH低k薄膜的致孔工艺及后道工艺中,薄膜需要经受400～450℃的热冲击,因此首先对不同甲烷流量下真空退火前后薄膜的结构、表面形貌和湿水性进行了研究。在真空热处理过程中,热稳定性较差的碳氢基团发生了热解吸,使Si-O-Si网络结构以及链式结构发生交联而形成鼠笼结构,从而提高了薄膜中孔隙的含量,并使薄膜表面更平整。但是,由于碳氢基团的热解吸以及结构的重组降低了薄膜的厚度,并且热解吸还导致薄膜的疏水性能降低。其次真空热处理降低了薄膜的漏电流,并且使SiCOH/Si界面的界面态发生改变。